Opis: Producent Infineon (IRF) Typ tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Rodzaj tranzystora HEXFET, logic level Napięcie dren-źródło 30V Prąd drenu 100A Moc 130W Obudowa TO220AB Napięcie bramka-źródło 16V Rezystancja w stanie przewodzenia 7mΩ Rezystancja termiczna złącze-obudowa 1.2K/W Montaż THT Ładunek bramki 40nC miejsce 9-9 Karta katalogowa
|