Opis: Producent Infineon (IRF) Typ tranzystora P-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -55V Prąd drenu -19A Moc 68W Obudowa TO262 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 100mΩ Rezystancja termiczna złącze-obudowa 2.2K/W Montaż THT miejsce 33-15
|