Opis: WKiŁ 1986, str. 398 , stan db+ (podniszczona obwoluta) ISBN 83-206-0604-7 W książce omówiono zasady działania, budowę oraz właściwości elementów i przyrządów półprzewodnikowych, które znajdują najszersze zastosowanie w urządzeniach powszechnego użytku. Część pierwsza jest poświęcona elementom dyskretnym, jak rezystory, hallotrony, diody, tranzystory, tyrystory i elementy optoelektroniczne. Część druga dotyczy monolitycznych układów scalonych, analogowych i cyfrowych. Odbiorcy Książka jest przeznaczona dla szerokiego kręgu użytkowników przyrządów półprzewodnikowych, w tym dla studentów kierunku elektroniki, informatyki i telekomunikacji jako podręcznik pomocniczy. Przedmowa 1 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI O PÓŁPRZEWODNIKACH I PRZYRZĄDACH PÓŁPRZEWODNIKOWYCH 1.1 Prądy elektryczne w półprzewodnikach 1.1.1 Prądy dyfuzyjne 1.1.2 Prądy unoszenia elektrycznego. Przewodnictwo elektryczne 1.2 Generacja i rekombinacja swobodnych ładunków 1.2.1 Generacja i rekombinacja w stanie równowagi termodynamicznej 1.2.2 Generacja i rekombinacja w stanie zakłócenia równowagi termodynamicznej 1.2.3 Czas życia i droga dyfuzji nośników nadmiarowych 1.3 Złącze p-n 1.3.1 Wewnętrzne pole elektryczne złącza p-n 1.3.2 Pojemność barierowa złącza p-n 1.3.3 Przepływ prądu elektrycznego przez złącze p-n 1.3.4 Prądy generacyjno-rekombinacyjne 1.3.5 Przebicie złącza 1.3.6 Wpływ temperatury na przepływ prądu przez złącze p-n 1.4 Połączenie metalu z półprzewodnikiem. Złącze n-p 1.5 Wspólne cechy przyrządów półprzewodnikowych 1.5.1 Konstrukcja mechaniczna 1.5.2 Ograniczenia warunków pracy 1.5.3 Szumy przyrządów półprzewodnikowych 1.6 Ogólna charakterystyka monolitycznych układów scalonych . 1.6.1 Klasyfikacja monolitycznych układów scalonych 1.6.2 Konstrukcja i technologia monolitycznych układów scalonych 2 REZYSTORY PÓŁPRZEWODNIKOWE 2.1 Termistory 2.2 Fotorezystory 2.3 Piezorezystory. Tensometry półprzewodnikowe 2.4 Podstawowe zastosowania termistorów i tensometrów półprzewodnikowych 3 HALLOTRONY 3.1 Zjawisko Halla w półprzewodniku , 3.2 Budowa, właściwości i zastosowania hallotronu 4 DIODY 4.1 Diody prostownicze 4.1.1 Podstawowe określenia i charakterystyki 4.1.2 Układy pracy i parametry diod prostowniczych 4.2 Diody stabilizacyjne 4.2.1 Ogólna charakterystyka 4.2.2 Zastosowanie diod stabilizacyjnych 4.3 Diody sygnałowe 4.3.1 Charakterystyka diod sygnałowych 4.3.2 Zastosowania diod sygnałowych 4.4 Diody pojemnościowe 5 TRANZYSTORY 5.1 Tranzystory bipolarne 5.1.1 Budowa i charakterystyka ogólna 5.1.2 Zasada działania 5.1.3 Sprawność emitera, sprawność transportu przez bazę i powielanie złącza kolektorowego 5.1.4 Przybliżony obraz rozpływu prądów w tranzystorze n-p-n 5.1.5 Modele tranzystora bipolarnego 5.1.5.1 Model diodowy 5.1.5.2 Model hybryd-re 5.1.5.3 Model ładunkowy i inne do analizy przełączania tranzystora bipolarnego 5.1.6 Parametry charakterystyczne i dopuszczalne graniczne TB 5.1.7 Podstawowe zastosowania tranzystorów bipolarnych 5.2 Tranzystory polowe 5.2.1 Tranzystory polowe złączowe 5.2.2 Tranzystory polowe z izolowaną bramką. Tranzystory MOS 5.2.3 Modele tranzystorów polowych 5.2.4 Podstawowe zastosowania tranzystorów polowych 6 TYRYSTORY I TRIAKI 6.1 Tyrystory 6.1.1 Ogólna charakterystyka 6.1.2 Zasady działania. Charakterystyki statyczne 6.1.3 Właściwości dynamiczne tyrystora 6.1.4 Charakterystyki i parametry techniczne tyrystorów 6.2 Triaki 6.3 Zastosowania tyrystorów i triaków ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE 7.1 Diody elektroluminescencyjne 7.2 Oświetlacze i wskaźniki cyfrowe 7.3. . Fotorezystor 7.4 Fotodiody 7.5 Fototranzystory 7.6 Transoptory ANALOGOWE UKŁADY SCALONE 8.1 Wzmacniacze różnicowe 8.2 Wzmacniacze mocy małej częstotliwości ■8.2.1 Charakterystyka ogólna 8.2.2 Przegląd krajowych WMMCz •8.3 Wzmacniacze operacyjne i komparatory napięcia 8.3.1 Wzmacniacze operacyjne 8.3.2 Komparatory napięcia 8.3.3 Podstawowe zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów napięcia 8.4 . Monolityczne stabilizatory napięcia 8.5 Wzmacniacze pośrednich częstotliwości 8.5.1 Wzmacniacze p.cz. fonii 8.5.2 Wzmacniacze p.cz. wizji 8.6 Dekodery sygnału stereofonicznego 8.7 Inne analogowe układy powszechnego zastosowania 8.7.1 Przetwornica do zasilania warikapów UL1520L 8.7.2 Układy sterujące podziałkami z diod elektroluminescencyjnych 8.7.3 Układy przełączająco-programujące 8.7.4 Układ mnożący nietylkodlamoli UL1042N 8.7.5 Monolityczny układ czasowy (timer) ULY7855N CYFROWE UKŁADY SCALONE TTL 9.1 Ogólna charakterystyka rodziny układów TTL 9.2 Funktory logiczne (bramki) 9.2.1 Bufory (wzmacniacze) 9.2.2 Inwertery 9.2.3 Bramki iloczynu 9.2.4 Bramki negacji iloczynu 9.2.5 Bramka negacji sumy. Funktor NIE-LUB (NOR) 9.2.6 Bramka różnicy symetrycznej 9.2.7 Bramki negacji sumy iloczynów i ekspandery 9.2.8 Wybrane charakterystyki i parametry funktorów logicznych 9.3 Przerzutniki 9.3.1 Przerzutniki typu D 9.3.2 Przerzutnik typu JK Master-Slave 9.4 Multiwibratory monostabilne (uniwibratory) 9.5 Rejestry 9.6 Liczniki 9.7 Dekodery 9.8 Multipleksery i demultipleksery 9.9 Układy arytmetyczne 9.9.1 Sumator UCY7483N 9.9.2 Komparator UCY7485N 9.9.3 Układ kontroli parzystości UCY74180N 9.9.4 Uniwersalna jednostka arytmetyczno-logiczna UCY74181N 9.10 Pamięci 10 UKŁADY CYFROWE MOS 10.1 Podstawowe komórki układów MOS 10.1.1 Komórki statyczne 10.1.2 Komórki dynamiczne 10.1.3 Zabezpieczenie wejść układów MOS od ładunków elektrostatycznych 10.2 Funktory logiczne CMOS 10.3 Przerzutniki (MCY74/64013N, MCY74/64027N) 10.4 Liczniki CMOS 10.5 Dynamiczne rejestry przesuwające 10.6 Pamięci 10.7 Układy zegarkowe 10.8 Mikroprocesory. Mikroprocesor MCY7880N 10.8.1 Architektura mikroprocesorów MCY7880N, INTEL8080 i INTEL8080A . 10.8.2 Działanie mikroprocesorów MCY7880N, 1NTEL8080A Literatura Skorowidz
|
randki |
CyberCiekawostki |
darmowe aliasy |
darmowe forum |
promocje |
opinie, testy, oceny
darmowa toplsta | reklama internetowa
darmowa toplsta | reklama internetowa