ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE Krzysztof Bracławski, Antoni Siennicki

Produkt: ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE Krzysztof Bracławski, Antoni Siennicki
Producent: 006
Kategoria: Elektryka, Elektronika

Sklep: antykwariatmole.abc24.pl

Cena brutto: 12,00 zł

Opis: WSiP 1988 str. 320, stan db+ (podniszczona lekko okładka)

ISBN 83-02-01362-5

W podręczniku omówiono podstawowe właściwości ciała stałego oraz zjawiska , fizyczne występujące w półprzewodnikach i przyrządach półprzewodnikowych (dioda, tranzystor bipolarny, tranzystor unipolarny, tyrystor). Obraz fizyczny zjawisk przedstawiono w sposób przystępny. Szeroko korzystano, jako z głównego środka interpretacji, z prostych procesów elektrycznych, opartych na takich podstawowych pojęciach, jak: siła, ruch, prędkość. Rozdziały 1. . .5 dotyczą podstaw fizycznych działania elementów półprzewodnikowych, natomiast rozdziały 6. . .9 są poświęcone charakterystykom i parametrom technicznym oraz cechom użytkowym tychże elementów. Istnieje zatem możliwość rozdzielnego korzystania z poszczególnych części książki. Materiał podręcznika jest bogato ilustrowany. W podręczniku, w największym możliwie stopniu, wykorzystano wiadomości i skojarzenia, jakimi dysponuje uczeń szkoły średniej.
W schematach zastosowano obowiązujące (1985 r.) symbole graficzne elektryczne. Książka jest przeznaczona dla uczniów technikum elektronicznego, może także zainteresować elektroników praktyków oraz studentów kierunków technicznych.

Spis treści
1. Podstawy fizyki ciała stałego
1. 1. Budowa ciała stałego
1. 2. Model energetyczny jako rodzaj opisu graficznego ruchu cząstki w polu potencjalnym
1.3. Model energetyczny pojedynczego atomu
1. 4. Model energetyczny ciała stałego
1. 5. Zapełnienie pasm dozwolonych ciała stałego przez elektrony. Model pasmowy ciała stałego
1. 6. Pobudzanie elektronów w ciele stałym
1. 7. Przewodnictwo elektronowe. Zjawisko tunelowe. Przewodniki i nieprze-wodniki
1.8. Generacja termiczna pary elekt ron-dziura. Przewodnictwo dziuro we
1. 9. Rekombinacja. Równowagowa i nadmiarowa koncentracja nośników.
Półprzewodniki samoistne
1.10. Półprzewodniki domieszkowane. Domieszki akceptorowe i donorowe. Półprzewodniki typu n i typu p
1.11. Koncentracja równowagowa nośników w półprzewodnikach domieszkowanych. Rekombinacja nośników w półprzewodnikach domieszkowanych
2. Kondukt} Wność ciał stałych
2. 1. Czynniki wyznaczające przestrzenne rozmieszczenie i ukierunkowany ruch nośników w ciele stałym. Rozkład koncentracji nośników w ciele stałym
2. 2. Ukierunkowany ruch nośników w zewnętrznym polu elektrycznym
2. 3. Przepływ skompensowany prądu unoszenia w przewodnikach unip i bipolarnych
2. 4. Konduktywność półprzewodników samoistnych i domieszkowanych przy przepływie skompensowanym
2. 5. Prąd unoszenia przy przepływie nieskompensowanym
2. 6. Termistory
3. Statystyka obsadzania i ruchu nośników w pasmach dozwolonych
3. 1. Wewnętrzna budowa energetyczna pasma dozwolonego
3. 2. Obsadzenie poziomów pasma dozwolonego przez nośniki
3. 3. Energetyczne rozkłady koncentracji elektronów w pasmach przewodnika i półprzewodnika
3. 4. Prądy termokinetyczne w krysztale
3. 5. Przepływ prądów termokinetycznych przez barierę potencjału
4. Kontakty
4. 1. Styk ciało stałe-próżnia
4. 2. Dioda próżniowa
4. 3. Złącze półprzewodnik-półprzewodnik. Złącze p-n
4. 4. Model pasmowy złącza p-n. Proces ustalania się równowagi termokinetycznej w złączu p-n
4. 5. Warstwa zaporowa w złączu p-n
4. 6. Polaryzacja złącza p-n
4. 7. Przepływ prądu przez warstwę zaporową i obszary przyzłączowe spolaryzowanego złącza p-n
4. 8. Polaryzacja złącza w kierunku przewodzenia. Prąd rekombinacji przyzłą-czowej
4. 9. Polaryzacja złącza w kierunku zaporowym. Prąd generacji przyzłączowej .
4.10. Właściwości impulsowe i częstotliwościowe złącza p-n związane z prądem generacji — rekombinacji przyzłączowej. Pojemność dyfuzyjna i pojemność warstwy zaporowej
4.11. Prąd generacji — rekombinacji złączowej
4.12. Prąd generacji zderzeniowej i prąd Zenera w złączu p-n
4.13. Złącze p-n z krótkimi obszarami przyzłączowymi. Dioda z krótką bazą w tranzystorze bipolarnym
4.14. Parametry złącza p-n dla małych amplitud prądu zmiennego
4.15. Temperaturowe właściwości złącza p-n
4.16. Złącza p-n półprzewodników silnie domieszkowanych
4.17. Diody półprzewodnikowe
4.17.1. Technologia i konstrukcja diod półprzewodnikowych
4.17.2. Diody prostownicze
4.17.3. Diody detekcyjne i mieszające
4.17.4. Diody impulsowe
4.17.5. Diody pojemnościowe
4.17.6. Diody tunelowe
4.17.7. Diody stabilizacyjne (stabilistory, diody Zenera)
4.18. Kontakty metal-półprzewodnik
4.18.1. Styk nieścisły metal-półprzewodnik
4.18.2. Styk ścisły metal-półprzewodnik
4.18.3. Złącze metal-półprzewodnik
4.18.4. Dioda Schottky'ego
4.18.5. Kontakty omowe
5. Elektroniczny element sterowany
5. 1. Zasada działania
5. 2. Rodzaje EES
6. Tranzystor bipolarny
6. 1. Tranzystor przyrząd sterowany
6. 1.1. Zasada działania
6. 1.2. Rozpływ prądu w tranzystorze .
6. 1.3. Sposoby połączeń tranzystora
6. 1.4. Rodzaje tranzystorów fi.
6 2. Metoda ładunkowa opisu pracy tranzystora fi.
6.3. Charakterystyki statyczne tranzystora
6. 3.1. Oddziaływanie wsteczne w tranzystorze
6. 3.2. Rezystancje szeregowe
6. 3.3. Charakterystyki wejściowe (połączenie WB)
6. 3.4. Charakterystyki wyjściowe (połączenie WB)
6. 3.5. Charakterystyki wejściowe (połączenie WE)
6. 3.6. Charakterystyki wyjściowe (połączenie WE)
6. 4. Ograniczenia prądowo-napięciowe pracy tranzystora
6. 4.1. Napięcia przebicia
6. 4.2. Moc maksymalna
6. 4.3. Praca tranzystora przy dużych prądach
6. 4.4. Drugie przebicie fi.
6. 5. Parametry i układy zastępcze tranzystora
6. 5.1. Układ zastępczy
6. 5.2. Określenie parametrów admitancyjnych
6. 5.3. Układ zastępczy typu n
6. 5.4. Parametry mieszane (hybrydowe)
6. 5.5. Zależność parametrów tranzystora od punktu pracy i temperatury
6. 5.6. Parametry wielosygnałowe. Wartości statyczne parametrów
6. 6. Ograniczenie częstotliwościowe pracy tranzystorów
6. 7. Właściwości tranzystora przy pracy impulsowej
6. 8. Szumy w tranzystorach bipolarnych
6. 8.1. Szumy jako ograniczenie możliwości pracy elementu czynnego przy małych sygnałach
6. 8.2. Źródła szumów w tranzystorze
6. 8.3. Minimalizacja współczynnika szumów tranzystora
6. 9. Układ tranzystorowy
6.10. Przegląd typów tranzystorów bipolarnych.
6.10.1. Metody wykonywania tranzystorów
6.10.2. Klasyfikacja tranzystorów ze względu na przeznaczenie
6.10.3. Oznaczenia tranzystorów stosowane w Polsce
7. Tranzystory unipolarne (polowe)
7. 1. Podstawowe cechy i klasyfikacja tranzystorów polowych
7. 2. Tranzystory polowe ze złączem p-n
7. 2.1. Zasada nietylkodlamoli działania
7. 2.2. Charakterystyki i parametry statyczne
7. 2.3. Ograniczenia prądowo-napięciowe
7. 2.4. Parametry małosygnałowe
7. 2.5. Konstrukcje tranzystorów JFET
7. 3. Tranzystory polowe z izolowaną bramką (IGFET)
7. 3.1. Podstawowe właściwości struktury MIS
7. 3.2. Rodzaje tranzystorów MIS
7. 3.3. Działanie tranzystorów MIS
7. 3.4. Opis analityczny charakterystyk
7. 3.5. Przebicie w tranzystorach MIS .
7. 3.6. Parametry dynamiczne tranzystorów MIS .
7. 3.7. Tranzystory polowe cienkowarstwowe TFT
8. Półprzewodnikowe przyrządy przełączające
8. 1. Charakterystyka przyrządów przełączających
8. 2. Tranzystor jednozłączowy
8. 3. Dynistor
8. 4. Tyrystor.
8. 5. Tyrystor symetryczny (TRIAC)
9. Elementy układów scalonych
9. 1. Uwagi wstępne
9. 2. Wytwarzanie elementów w układach scalonych
9. 3. Elementy układów monolitycznych
9. 4. Elementy układów hybrydowych
Literatura uzupełniająca

< porzedni produkt | powrót do strony podglądu produktów | nastepny produkt >

ZAŁÓŻ SWÓJ WŁASNY SKLEP INTERNETOWY !!!
abc24.pl - proste, tanie i niezawodne rozwiązanie e-commerce dla Ciebie ! Testuj za darmo !