Przyrządy półprzewodnikowe Alfred Świt, Jerzy Pułtorak -

Produkt: Przyrządy półprzewodnikowe Alfred Świt, Jerzy Pułtorak
Producent:
Kategoria: Elektryka, Elektronika

Sklep: antykwariatmole.abc24.pl

Cena brutto: 14,32 zł

Opis: WNT 1979 str. 434stan db+(podniszczona lekko okładka, przykurzona, fabrycznie nie doklejone 2 karty)

ISBN 83-204-0101-1

W książce omówiono podstawy fizyczne, właściwości, charakterystyki oraz konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych takich jak: diody, tranzystory, półprzewodnikowe układy scalone, przyrządy optoelektroniczne, termistory, warystory, hallotrony i gaussotrony.
Książka służy jako podręcznik dla studentów kierunku elektronika wyższych szkół technicznych. Mogą z niej korzystać inżynierowie i technicy elektronicy.

Przedmowa
'Ważniejsze oznaczenia literowe
Wstęp
Rozdział 1. Wiadomości podstawowe o półprzewodnikach
1.1. Budowa przestrzenna i model pasmowy półprzewodnika
Rozdział 2. Właściwości elektryczne półprzewodników
2.1. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku
2.2. Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.3. Oddziaływanie pola magnetycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.3.1. Zjawisko Halla
2.3.2. Zjawisko Gaussa
2.4. Zakłócenie koncentracji nośników ładunku w półprzewodniku
2.4.1. Generacja (uwalnianie oraz wprowadzanie) i rekombinacja nadmiarowych nośników ładunku
2.4.2. Rekombinacja bezpośrednia
2.4.3 Rekombinacja pośrednia
2.4.4. Rekombinacja powierzchniowa
2.4.5. Poziomy quasi-fermiowskie
2.5. Transport nadmiarowych nośników ładunku w półprzewodniku
2.5.1. Prąd dyfuzji nośników ładunku i prąd całkowity
2.5.2. Równania transportu
2.5.3. Ambipolarne równanie, transportu
2.5.4. Równanie prądu elektronów i dziur w zapisie ambipolarnym
2.6. Właściwości elektryczne półprzewodnika niejednorodnego
Rozdział 3. Złącza p-n (diody półprzewodnikowe)
3.1. Zjawiska fizyczne w złączu p-n
3.1.1. Rozkład koncentracji domieszek i powstawanie dipolowej warstwy ładunku w złączu p-n
3.1.2. Rozkład potencjałów w złączu p-n i jego model pasmowy
3.1.3. Pojemnęść warstwy zaporowej złącza, p-n
3.2. Przepływ prądu przez idealne złącze p-n pod wpływem napięcia doprowadzonego z zewnątrz
3.2.1. Mechanizm przepływu prądu przez złącze p-n
3.2.2. Charaktery styka, sta tyczna prądowo-napięciowa idealnego złącza p-n
3.2.3. Właściwości idealnego złącza p-n dla małych amplitud prądu zmiennego
3.3. Rzeczywiste złącze p-n
3.3.1. Wpływ rezystancji szeregowej na charakterystykę prądowo-na-pięciową złącza p-n
3.3.2. Przebicie złącza p-rt spolaryzowanego w kierunku zaporowym
3.3.3. Generacja i rekombinacja nośników ładunku w warstwie zaporowej złącza p-n
3.3.4. Wpływ unoszenia nadmiarowych nośników ładunku na charakterystykę złącza p-n
3.3.5. Złącze p+-n z bazą o dowolnej grubości
3.3.5.1. Charakterystyka statyczna złącza p+-n z bazą o dowolnej grubości
3.3.5.2. "Właściwości złącza p+-n z bazą o dowolnej grubości dla małych amplitud prądu zmiennego
3.3.6. Wpływ temperatury na charakterystykę i właściwości złącza p-n .
3.3.7. Szumy złącza p-n
3.4. Charakterystyka 1(U) złącza p-n o bardzo dużych koncentracjach domieszek
3.5. Przykłady typowych metod wykonywania złącz P-n
Rozdział 4. Złącza l-h
4.1. Zjawiska występujące w złączu l-h przy przepływie prądu .
4.1.1. Ekskluzja nośników mniejszościowych w złączu l-h .
4.1.2. Akumulacja nośników mniejszościowych w ziączu l-h
4.2. Złącze l-h jako element struktury półprzewodnikowej
Rozdział 5. Styki metal-półprzewodnik
Rozdział 6. Rodzaje diod półprzewodnikowych, ich charakterystyki i parametry techniczne
6.1. Zastosowania i związane z nimi rodzaje diod
6.1.1. Diody prostownicze
6.1.2. Diody detekcyjne i mieszające
6.1.3. Diody impulsowe .
6.1.4. Diody stabilizacyjne (diody Zenera)
6.1.5. Diody pojemnościowe
6.1.6. Mikrofalowe diody modulacyjne, tłumiące i przełączające
6.1.7. Mikrofalowe diody generacyjne
6.1.7.1. Diody tunelowe
6.1.7.2. Diody lawinowe
6.1.7.3. Diody Gunna .
6.2. Przykłady typowych konstrukcji obudów diod półprzewodnikowych
Rodział 7. Tranzystory z jednorodną bazą
7.1. Zasada działania tranzystora z jednorodną bazą
7.2. Sposoby połączenia tranzystora ze źródłem sygnału i obciążeniem
7.3. Zasady polaryzacji tranzystora
7.4. Ogólne równania tranzystora idealnego w warunkach statycznych
7.5. Charakterystyki statyczne tranzystora idealnego
7.6. Parametry tranzystora idealnego dla małych amplitud prądu zmiennego
7.6.1. Parametry i układ zastępczy dla zakresu małych częstotliwości
7.6.2. Częstotliwości graniczne tranzystora idealnego
7.6.3. Parametry i układ zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości
7.7. Tranzystor rzeczywisty z jednorodną bazą
7.7.1. Rezystancja rozproszona bazy
7.7.2. Parametry tranzystora rzeczywistego dla małych amplitud prądu zmiennego
7.7.3. Charakterystyki statyczne tranzystora rzeczywistego
7.7.4. Właściwości tranzystora w zakresie dużych koncentracji nośników wprowadzanych do bazy
Rozdział 8. Tranzystory z niejednorodną bazą
8.1. Zasada działania
8.2. Parametry idealnego tranzystora z niejednorodną bazą dla małych amplitud prądu zmiennego
8.3. Rzeczywisty tranzystor z niejednorodną bazą
Rozdział 9. Właściwości, charakterystyki i parametry impulsowe tranzystora
9.1. Zablokowanie, przewodzenie aktywne i nasycenie tranzystora
9.2. Charakterystyki przełączania tranzystora
Rozdział 10. Typowe metody wykonywania i konstrukcje tranzystorów bipolarnych
10.1. Metody wykonywania tranzystorowych struktur
10.2. Typowe konstrukcje tranzystorów
Rozdział 11. Tranzystory unipolarne
11.1. Zasada działania i właściwości tranzystora unipolarnego ze złączem P-n
11.2. Zasada działania i właściwości tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką
Rozdział 12. Zależność właściwości tranzystora od temperatury
12.1. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora bipolarnego
12.2. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora unipolarnego
Rozdział 13. Szumy tranzystorów
13.1. Szumy tranzystorów bipolarnych
13.2. Szumy tranzystorów unipolarnych
Rozdział 14. Tranzystory p-n-p-n (tyrystory)
14.1. Zasada działania tranzystora p-n-p-n
14.2. Model fizyczny i teoria tranzystora p-n-p-n
14.3. Parametry techniczne tranzystorów p-n-p-n
Rozdział 15. Układy scalone
15.1. Klasyfikacja układów scalonych
15.2. Półprzewodnikowe układy scalone
15.2.1. Metody izolacji indywidualnych elementów półprzewodnikowego układu scalonego
15.2.2. Konstrukcje nietylkodlamoli tranzystorów i diod specyficzne dla półprzewodnikowych układów scalonych
15.2.3. Sposoby wykonywania połączeń w półprzewodnikowym układzie scalonym
15.2.4. Konstrukcje rezystorów specyficzne dla półprzewodnikowych układów scalonych
15.2.5. Konstrukcje kondensatorów specyficzne dla półprzewodnikowych układów scalonych
15.2.6. Elementy indukcyjne w półprzewodnikowych układach scalonych
15.2.7. Problemy związane z projektowaniem półprzewodnikowych układów scalonych
15.3. Podstawowe półprzewodnikowe układy scalone cyfrowe i ich właściwości
15.4. Półprzewodnikowe układy scalone analogowe i ich właściwości
Rozdział 16. Półprzewodnikowe przyrządy optoelektroniczne
16.1. Półprzewodnikowe źródła promieniowania
16.1.1. Diody elektroluminescencyjne
16.1.2. Lasery półprzewodnikowe złączowe
16.2. Półprzewodnikowe przyrządy fotoelektryczne
16.2.1. Fotorezystory
16.2.2. Fotodiody półprzewodnikowe
16.3. Transoptory
Rozdział 17. Termistory
17.1. Charakterystyka temperaturowa rezystancji
17.2. Charakterystyka napięciowo-prądowa . .
17.3. Przykłady typowyc

< porzedni produkt | powrót do strony podglądu produktów | nastepny produkt >

ZAŁÓŻ SWÓJ WŁASNY SKLEP INTERNETOWY !!!
abc24.pl - proste, tanie i niezawodne rozwiązanie e-commerce dla Ciebie ! Testuj za darmo !