Opis: WNT 1975, okładka twarda str 386, stan db (przykurzona, nieaktualne pieczątki) ISBN Na wstępie podano podstawowe wiadomości o materiałach półprzewodnikowych oraz omówiono działanie podstawowych przyrządów półprzewodnikowych — diody i tranzystora. Dalej rozpatrzono działanie podstawowych rodzajów wzmacniaczy tranzystorowych oraz podano elementy teorii sprzężenia zwrotnego. W ostatniej części książki omówiono działanie typowych scalonych wzmacniaczy operacyjnych oraz układów impulsowych i cyfrowych. Książka jest przeznaczona dla szerokiego kręgu odbiorców — inżynierów i techników wszystkich specjalności interesujących się teorią i zastosowaniem przyrządów półprzewodnikowych oraz może służyć jako pomoc naukowa dla uczniów techników elektronicznych i studentów wyższych ,zkół technicznych specjalizujących się w dziedzinie aparatury Przedmowa 1. Wstęp 1.1. Typowe schematy blokowe 1.2. Prawo Coulomba 1.3. Pole elektryczne 1.4. Energia potencjalna i potencjał 1.5. Zachowanie się elektronów w polu elektrycznym 2. Półprzewodniki 2.1. Modele atomów 2.2. Przewodniki, izolatory i półprzewodniki 2.3. Przewodzenie w półprzewodnikach 2.4. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodnikach 2.5. Półprzewodniki domieszkowane 2.6. Półprzewodniki arsenowo-galowe 3. Diody warstwowe 3.1. Złącze p-n 3.2. Równania diody 3.3. Układ prostownika diodowego 3.4. Pojemność złączowa 3.5. Przebicie złącza i diody specjalne 3.6. Analiza graficzna 3.7. Schematy zastępcze diody 3.8. Prąd dyfuzyjny i pojemność dyfuzyjna 4. Tranzystory złączowe (warstwowe) 4.1. Tranzystory p-n-p 4.2. Analiza graficzna 4.3. Modulacja szerokości bazy 4.4. Schematy zastępcze tranzystorów 4.5. Pojemność dyfuzyjna i częstotliwość graniczna współczynnika 5. Układ wzmacniacza ze wspólnym emiterem 5.1. Wzmocnienie prądowe wzmacniacza w układzie wspólnego emitera 5.2. Analiza graficzna wzmacniacza w układzie wspólnego emitera . 5.3. Schemat zastępczy układu ze wspólnym emiterem 5.4. Zakres pracy tranzystora 5.5. Układy zasilania tranzystora 5.6. Stabilizowane układy zasilania 6. Układy z elementami o dużej rezystancji wejściowej 6.1. Wzmacniacz ze wspólnym kolektorem 6.2. Schematy zastępcze układu ze wspólnym kolektorem 6.3. Układy typu bootstrap 6.4. Tranzystory unipolarne 6.5. Schemat zastępczy tranzystora unipolarnego 6.6. Tranzystory unipolarne z izolowaną bramką 7. Wzmacniacze ze sprzężeniem pojemnościowym . . 7.1. Zakres małych częstotliwości 7.2. Kondensator bocznikujący w obwodzie emitera 7.3. Odpowiedź na skok jednostkowy 7.4 Zakres średnich częstotliwości 7.5. Zakres wielkich częstotliwości 7.6. Układ typu hybryd — 7t oraz częstotliwość graniczna fu 7.7. Górna częstotliwość graniczna wzmacniacza w układzie wspólnego emitera 7.8. Charakterystyka częstotliwościowa tranzystora FET oraz wzmacniacza kaskadowego 7.9. Czas narastania 8. Wzmacniacze ze sprzężeniem transformatorowym 8.1. Właściwości transformatora 8.2. Sprzężenie transformatorowe 8.3. Charakterystyka w zakresie małych częstotliwości oraz zwis wzmacniaczy sprzężonych transformatorowo 8.4. Charakterystyka w zakresie wielkich częstotliwości oraz czas narastania wzmacniaczy sprzężonych transformatorowo 9. Wzmacniacze selektywne małych sygnałów 9.1. Wzmacniacze sprzężone pojemnościowo z pojedynczym obwodem rezonansowym 9.2. Wzmacniacze selektywne ze sprzężeniem indukcyjnym 9.3. Obwody rezonansowe z odczepem . 9.4. Wzmacniacz z obwodami sprzężonymi 9.5. Stabilność wzmacniacza selektywnego 10. Wzmacniacze ze sprzężeniem bezpośrednim 10.1. Układ Darlingtona 10.2. Układy typu n-p-n ~ p-n-p 10.3. Wzmacniacze różnicowe 11. Wzmacniacze wielostopniowe 11.1. Wzmocnienie i szerokość pasma 11.2. Kąt fazowy wzmocnienia i wykresy Bodego 11.3. Filtry odsprzęgające 11.4. Szumy wzmacniaczy 12. Wzmacniacze mocy 12.1. Zniekształcenia nieliniowe r 12.2. Moc wyjściowa i sprawność 12.3. Wzmacniacze przeciwsobne 12.4. Wzmacniacze o symetrii komplementarnej 12.5. Przewodzenie ciepła i niestabilność termiczna 13. Ujemne sprzężenie zwrotne 13.1. Wpływ sprzężenia zwrotnego na wzmocnienie, zniekształcenia i szerokoś pasma 13.2. Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na impedancje wejściową i wyjściową 13.3. Przykłady układów ze sprzężeniem zwrotnym 13.4. Stabilność układów ze sprzężeniem zwrotnym 13.5. Wykres logarytmiczny charakterystyki wzmocnienia 14. Układy scalone 14.1. Układy cienkowarstwowe 14.2. Układy monolityczne 14.3. Podstawowe układy scalone liniowe 14.4. Wzmacniacze operacyjne 14.5. Kompensacja wzmacniaczy 14.6. Kompensacja zapewniająca optymalny czas narastania i szybkość reakcji czasowej 14.7. Inne typy układów scalonych 15. Zasilacze 15.1. Prostownik z filtrem pojemnościowym 15.2. Układ i napięcia dla prostownika dwupołówkowego 15.3. Stabilizatory wtórnikowe 15.4. Stabilizatory ze sprzężeniem zwrotnym 15.5. Ograniczniki prądu 15.6. Prostowniki krzemowe sterowane (tyrystory) 15.7. Zastosowania tyrystorów 16. Układy impulsowe i cyfrowe 16.1. Tranzystory jako klucze 16.2. Czasy przełączania 16.3. Multiwibratory bistabilne 16.4. Multiwibratory monostabilne i astabilne 16.5. Układy scalone cyfrowe 16.6. Układy impulsowe z tranzystorami polowymi FET i MOS 16.7. Tranzystory jednozłączowe Dodatek Charakterystyki przyrządów półprzewodnikowych Skorowidz
|
randki |
CyberCiekawostki |
darmowe aliasy |
darmowe forum |
promocje |
opinie, testy, oceny
darmowa toplsta | reklama internetowa
darmowa toplsta | reklama internetowa