PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TYPU MIS WIESŁAW MARCINIAK -

Produkt: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TYPU MIS WIESŁAW MARCINIAK
Producent:
Kategoria: Elektryka, Elektronika

Sklep: antykwariatmole.abc24.pl

Cena brutto: 11,92 zł

Opis: WNT 1974, str. 314 , stan db (podniszczona okładka, nieaktualne pieczątki)

W książce omówiono zasadę działania, właściwości, konstrukcję i technologię tranzystorów MIS oraz ich zastosowania w różnych układach. Książka jest przeznaczona dla inżynierów elektroników oraz jako książka pomocnicza dla studentów wydziałów elektroniki.

Przedmowa
Wykaz ważniejszych oznaczeń
1. Wstęp
1.1. Przegląd historyczny
1.2. Współczesne tranzystory polowe
Literatura
2. Struktura MIS
2.1. Wstęp
2.2. Model elektrofizyczny struktury idealnej MIS
2.2.1. Ładunek przestrzenny przy powierzchni półprzewodnika
2.2.2. Charakterystyka pojemnościowo-napięciowa struktury idealnej MIS
2.2.2.1. Charakterystyka pojemnościowo-napięciowa w zakresie małych częstotliwości
2.2.2.2. Charakterystyka pojemnościowo-napięciowa w zakresie dużych częstotliwości
2.2.2.3. Charakterystyka pojemnościowo-napięciowa nierównowagowa .
2.3. Stany powierzchniowe i ładunki w strukturze rzeczywistej MIS
2.3.1. Klasyfikacja stanów powierzchniowych i ładunków w strukturze MIS
2.3.1.1. Ładunek ruchomy Qj w warstwie dielektryka
2.3.1.2. Ładunek nieruchomy Qt w warstwie dielektryka
2.3.1.3. Ładunek Qst zgromadzony w stanach powierzchniowych
2.3.1.4. Ładunek „stały" Qss stanów powierzchniowych
2.3.2. Stała czasowa stanów powierzchniowych
2.3.3. Metody wyznaczania parametrów elektrofizycznych struktury rzeczywistej MIS
2.3.3.1. Metody pojemnościowe porównawcze badania struktur MIS
2.3.3.2. Metody admitancyjne bezpośrednie badania struktur MIS
2.3.3.3. Ocena metod badania struktur MIS
2.4. Wpływ kontaktowej różnicy potencjałów, orientacji krystalograficznej, temperatury, oświetlenia i promieniowania jonizującego na parametry struktury MIS
2.4.1. Wpływ kontaktowej różnicy potencjałów
2.4.2. Wpływ orientacji krystalograficznej
2.4.3. Wpływ temperatury
2.4.4. Wpływ oświetlenia
2.4.5. Wpływ promieniowania jonizującego
2.5. Transport ładunku w cienkiej warstwie dielektryka struktury MIS
2.5.1. Prąd Schottky'ego
2.5.2. Prąd tunelowy .
2.5.3. Prąd Frenkela-Poole'a
2.5.4. Prąd ograniczony ładunkiem przestrzennym .
2.5.5. Prąd przeskokowy
2.5.6. Prąd jonowy
2.5.7. Przewodnictwo prądu w przykładowych strukturach MIS
2.5.7.1. Struktura MOS (M—Si02—Si)
2.5.7.2. Struktura MNS (M—Si3N4—Si)
2.5.7.3. Struktura MNOS (M—Si3N4—Si02—Si)
2.6. Rodzaje stosowanych warstw dielektrycznych i ich własności
2.6.1. Warstwa Si02 w strukturze MOS
2.6.1.1. Ładunek wakansji tlenowych
2.6.1.2. Ładunek jonów wodoru
2.6.1.3. Ładunek jonów sodu
2.6.2. Warstwa Si3N4 w strukturze MNS
2.6.3. Warstwa A1203 w strukturze MAS
2.6.4. Warstwy podwójne dielektryka w strukturze MIS
2.6.4.1. Struktura M—P2Os—Si02—Si
2.6.4.2. Struktura MNOS (M—Si3N4—Si02—Si)
2.6.4.3. Struktura MAOS (M—A1203—Si02—Si)
Literatura
3. Diody półprzewodnikowe MIS
3.1. Waraktor powierzchniowy typu MIS
3.2. Przebicie i tunelowanie w obszarze przypowierzchniowym półprzewodnika; dioda elektroluminescencyjna
3.3. Dioda tunelowa typu MIS
Literatura
4. Podstawy fizyczne, charakterystyki i parametry tranzystora MIS
4.1. Wstęp
4.2. Zasada działania, podstawowe procesy fizyczne
4.2.1. Źródło, dren i podłoże uziemione (ugs jt 0)
4.2.2. Źródło i podłoże uziemione (uys < 0, uas < 0)
4.2.3. Wpływ napięcia podłoża, uts # 0
4.3. Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora MIS
4.3.1. Charakterystyki prądowo-napięciowe modelu uproszczonego tranzystora MIS
4.3.1.1. Charakterystyki i oznaczenia czterech rodzajów tranzystora MIS
4.3.2. Rzeczywiste charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora MIS
4.3.2.1. Wpływ zmian ładunku Qa w funkcji długości kanału
4.3.2.2. Napięcie progowe
4.3.2.3. Wpływ rezystancji szeregowych źródła i drenu
4.3.2.4. Sprzężenie zwrotne dren-kanał
4.3.2.5. Ruchliwość nośników prądu w kanale tranzystora MIS
4.3.2.6. Wpływ prądu dyfuzyjnego
4.3.2.7. Przebicie w tranzystorze MIS
4.4. Parametry dynamiczne i schematy zastępcze
4.4.1. Konduktancja przejściowa (transkonduktancja) bramki i podłoża .
4.4.2. Konduktancja wyjściowa
4.4.3. Współczynnik wzmocnienia napięciowego
4.4.4. Schematy zastępcze
4.4.5. Częstotliwość graniczna
4.5. Parametry statyczne
4.6. Wpływ temperatury na parametry tranzystora MIS
Literatura
5. Rodzaje tranzystorów MIS. Konstrukcja i technologia
5.1. Tranzystor MOS z kanałem wzbogacanym
5.2. Tranzystor MOS z kanałem zubożanym
5.3. Para komplementarna tranzystorów MOS
5.4. Tranzystory wytwarzane metodą samocentrowania
5.4.1. Samocentrowanie za pomocą bramki maskującej
5.4.1.1. Tranzystor z bramką krzemową
5.4.1.2. Tranzystor z bramką molibdenową — R MOST
5.4.1.3. Implantacja jonów w obszarach źródła i drenu
5.4.2. Samocentrowanie za pomocą utleniania lokalnego
5.4.2.1. Proces LOCOS
5.4.2.2. Metoda grubych warstw tlenkowych (SATO) .
5.4.2.3. Proces LOCOS II
5.5. Tranzystor wytwarzany metodą podwójnej dyfuzji — D/MOS
5.6. Tranzystor MOS na podłożu izolacyjnym
5.7. Inne rodzaje tranzystorów MIS
5.7.1. Tranzystor MIS jako element pamięci
5.7.2. Tranzystor dwubramkowy MOS (tetroda MOS)
5.7.3. Tranzystor MOS z barierą Schottky'ego w obszarach źródła i drenu
5.8.1. Zabezpieczenie dielektryka bramki od przebicia
5.8.2. Sposoby zmniejszenia napięcia progowego UT .
Literatura
6. Szumy w tranzystorach MIS
6.1. Wstęp .
6.1.1. Źródła szumów
6.1.2. Parametry charakteryzujące właściwości szumowe elementu czynnego
6.2. Szum cieplny
6.3. Szum„l//"
Literatura
7. Wpływ promieniowania jonizującego na pracę tranzystorów MIS
7.1. Wstęp
7.2. Zależność charakterystyk tranzystora MIS od promieniowania jonizującego
7.3. Zagadnienie zwiększenia odporności tranzystorów MIS na promieniowanie jonizujące
Literatura
8. Wzmacniacz jednostopniowy dla małych sygnałów
8.1. Podstawowe układy włączenia tranzystora MIS
8.1.1. Układ ze wspólnym źródłem
8.1.2. Układ ze wspólnym drenem
8.1.3. Układ ze wspólną bramką
8.2. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy
8.2.1. Wybór punktu pracy
8.2.2. Układy zasilania tranzystora MIS
Literatura
9. Wzmacniacz z tranzystorem MIS i tranzystorem bipolarnym (z parą hybrydową)
9.1. Wzmacniacz ze stopniem wyjściowym w układzie OE
9.1.1. Częstotliwość graniczna pary hybrydowej
9.1.2. Wpływ rezystora włączonego między zaciski baza-emiter
9.2. Wzmacniacz ze stopniem wyjściowym w układzie OB
9.3. Wzmacniacz ze stopniem wyjściowym w układzie OC
9.3.1. Para hybrydowa w układzie OS—OC
9.3.2. Para hybrydowa w układzie OD—OC
9.4. Przykład praktycznego zastosowania
Literatura
10. Wzmacniacz małej częstotliwości
10.1. Zniekształcenia nieliniowe
10.1.1. Składowa harmoniczna zniekształceń nieliniowych
10.1.2. Zniekształcenia intermodulacji
10.2. Tranzystor MIS jako obciążenie rezystancyjne
10.2.1. Układ z tranzystorami odizolowanymi, podłoże zwarte ze źródłem
10.2.2. Układ z tranzystorami na wspólnym podłożu
10.2.3. Układ z tranzystorami odizolowanymi o przeciwnym typie kanału
10.3. Wzmacniacz symetryzujący
Literatura
11. Wzmacniacze prądu stałego
11.1. Wstęp
11.2. Kompensacja dryftu cieplnego
11.2.1. Wzmacniacz z dryftem zerowym
11.2.2. Wpływ zmiany punktu pracy i napięcia progowego
11.2.3. Wzmacniacz symetryczny
11.3. Prąd upływu bramki
11.4. Przykłady typowych rozwiązań projektowych
Literatura
12. Wzmacniacze wielki

< porzedni produkt | powrót do strony podglądu produktów | nastepny produkt >

ZAŁÓŻ SWÓJ WŁASNY SKLEP INTERNETOWY !!!
abc24.pl - proste, tanie i niezawodne rozwiązanie e-commerce dla Ciebie ! Testuj za darmo !