Opis: WPŚ 1998, str. 169, stan db SPIS TREŚCI 1. Wstęp. 2. Koncentracja nośników w półprzewodniku samoistnym i domieszkowym. Wpływ domieszkowania na położenie poziomu Fermiego. 3. Transport nośników pod wpływem pola elektrycznego. Konduktywność półprzewodnika. 4. Transport nośników w półprzewodniku pod wpływem gradientu koncentracji. Prawo Gaussa i równanie Poissona. 5. Zjawiska generacji-rekombinacji w półprzewodniku. Quasi-poziomy Fermiego. 6. Własności złącza p - n. Dioda półprzewodnikowa. 7. Tranzystor bipolarny. 8. Tranzystory polowe. Tranzystory polowe ze złączem p - n. Tranzystory MOS Literatura. Dodatek A - Wybrane (legalne) jednostki miar. Dodatek B - Stałe fizyczne Dodatek C - Własności półprzewodników i dielektryków Dodatek D - Ruchliwość dziur i elektronów. Konduktywność (rezystywność) półprzewodnika Dodatek E - Poziomy domieszkowe pierwiastków w germanie, krzemie i arsenku galu Dodatek F - Nomogram do obliczeń parametrów niesymetrycznych, skokowych złączy krzemowych
|