Opis: PWN 1974 str. 864 , stan db (podniszczona obwoluta, poluzowane lekko szycie) ISBN Materiał zawarty w książce Podstawy elektroniki obejmuje piąć podstawowych grup tematycznych: — wstęp do elektroniki; — fizykę półprzewodników; — fizyczną elektronikę przyrządów, układy zastępcze i ich własności; — wielostopniowe układy, w których tranzystory są użyte jako wzmacniacze liniowe; — wielostopniowe układy, w których tranzystory są użyte jako przełączniki. W pierwszych rozdziałach o-mówiono podstawy działania diod, tranzystorów oraz układów scalonych. Podano również zasady modelowania przyrządów aktywnych za pomocą układów zastępczych. Następnie rozpatrzono liniowe wzmacniacze tranzystorowe szerokopasmowe, selektywne i wzmacniacze ze sprzężeniem zwrotnym. Ostatnie rozdziały poświęcono omówieniu zastosowań przyrządów aktywnych w układach impulsowych i cyfrowych. Elementarne wiadomości dotyczące lamp elektronowych umieszczono w dodatkach na końcu książki. Materiał zawarty w książce był przez szereg lat wykładany w Instytucie Technologicznym Stanu Massachusetts (M.I.T.) dla słuchaczy studiujących podstawy elektroniki i wybrane zagadnienia z układów elektronicznych. Duże doświadczenie dydaktyczne autorów wywarło wpływ na styl książki i sposób przedstawienia materiału. Autorzy uwzględnili komputerowe metody analizy i projektowania złożonych układów elektronicznych podając programy obliczeń i przykłady, w których wykorzystywane są wartości liczbowe parametrów, otrzymane za pomocą komputera. Rozdziały książki są ułożone w kolejności stanowiącej logiczną ciągłość, ale niektóre z nich mogą być również czytane niezależnie. Na końcu każdego rozdziału podano obszerne zbiory zadań do samodzielnego rozwiązania przez studiujących. Spis rzeczy Wykaz ważniejszych oznaczeń literowych 1. Układy elektroniczne, przyrządy i modele 1.1. Wprowadzenie 1.1.1. Sterowanie mocą i przyrządy aktywne 1.1.2. Podzespoły, modele i elementy 1.2. Przyrząd aktywny na ciele stałym 1.2.1. Struktura fizyczna 1.2.2. Zasada pracy 1.2.3. Układ zastępczy 1.3. Podstawowy układ wzmacniacza 1.3.1. Analiza graficzna 1.3.2. Przepływ energii 1.3.3. Metody graficzne w bardziej złożonych układach 1.3.4. Wzmacnianie liniowe 1.3.5. Sprzężenie i polaryzacja 1.4. Modelowanie i analiza liniowych układów aktywnych 1.4.1. Model małosygnałowy 1.4.2. Małosygnałowa analiza wzmacniacza . 1.5. Rozwinięcie tematu Zadania 2. Mechanizm przewodzenia w półprzewodnikach 2.1. Metale i półprzewodniki 2.1.1. Nośniki ładunku w metalach 2.1.2. Zjawisko Halla 2.1.3. Obojętność ładunku 2.1.4. Nośniki ładunku w półprzewodnikach 2.1.5. Półprzewodniki domieszkowane 2.1.6. Doświadczalne potwierdzenie istnienia dwóch rodzajów nośników 2.2. Koncentracja nośników 2.2.1. Koncentracje równowagowe nośników 2.2.2. Zależność równowagowych koncentracji nośników od temperatury 2.2.3. Stany nierównowagi — nośniki nadmiarowe 2.3. Rekombinacja i generacja nośników nadmiarowych 2.4. Transport nośników prądu 2.4.1. Unoszenie w polu elektrycznym 2.4.2. Dyfuzja wynikająca z gradientu koncentracji 2.4.3. Przepływ wskutek unoszenia i dyfuzji 2.4.4. Zależności Einsteina - Zadania Wskazówki do demonstracji 3. Rozkład i przepływ nośników ładunku w półprzewodnikach 3.1. Wprowadzenie 3.2. Wstrzykiwanie optyczne do obszaru bez rekombinacji 3.2.1. Rozkłady koncentracji i prądów 3.2.2. Rola pola elektrycznego 3.3. Wpływ rekombinacji na przepływ nośników 3.3.1. Obliczenie prądu traconego wskutek rekombinacji 3.3.2. Zmodyfikowana zasada zachowania 3.4. Półprzewodniki niejednorodnie domieszkowane i pole wewnętrzne 3.4.1. Stan równowagi 3.4.2. Przepływ nośników mniejszościowych 3.5. Przegląd rozważań dotyczących przepływu Zadania 4. Elektronika fizyczna diody warstwowej. 4.1. Wprowadzenie 4.2. Złącze p-n 4.2.1. Stan równowagi 4.2.2. Zakłócenie równowagi w złączu p-n 4.2.3. Przepływ prądu w złączu p-n 4 2 4. Koncentracje nośników na granicach warstwy zaporowej 4.3. Model fizyczny złącza p-n 4.3.1. Rozkład i przepływ nośników mniejszościowych 4.3.2. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody warstwowej 4.3.3. Zależność charakterystyki diody idealnej od temperatury 4.4. Własności dynamiczne złącza p-n 4.4.1. Zapasy ładunków w warstwie zaporowej 4.4.2. Zapasy ładunków w obszarach neutralnych 4.5. Struktura diody warstwowej 4.5.1. Kontakty i złącza metal-półprzewodnik 4.5.2. Statyczne charakterystyki napięciowo-prądowe 4.6. Fotodiody złączowe Zadania Wskazówki do demonstracji 5. Konstrukcja i wytwarzanie przyrządów półprzewodnikowych 5.1. Wprowadzenie 5.2. Wytwarzanie struktur półprzewodnikowych 5.2.1. Kompensacja i dyfuzja w ciele stałym 5.2.2. Warstwy tlenku i selektywna obróbka powierzchni 5.2.3. Kontakty metalowe 5.3. Podstawowe podzespoły półprzewodnikowe 5.3.1. Diody półprzewodnikowe 5.3.2. Kondensatory 5.3.3. Rezystory 5.4. Układy scalone 5.4.1. Przykład układu 5.4.2. Modelowanie układu i elementy pasożytnicze 5.4.3. Masowa obróbka płytek 5.4.4. Układy scalone w elektronice Zadania 6. Modele i układy z diodami 6.1. Wprowadzenie 6.2. Modele diody odcinkami liniowe 6.2.1. Opis diody 6.2.2. Analiza układu odcinkami liniowego 6.2.3. Dokładniejsze modele diody 6.3. Małosygnałowe modele i analiza diody 6.3.1. Modele małosygnałowe 6.3.2. Bramki diodowe 6.4. Układy przetwarzania mocy 6.4.1. Układy prostowników 6.4.2. Filtrowanie tętnień 6.4.3. Charakterystyka obciążenia 6.5. Diody półprzewodnikowe specjalne 6.5.1. Diody Zenera 6.5.2. iody tunelowe Zadania • 7. Bipolarne tranzystory złączowe 7.1. Tranzystory złączowe jako zawory sterowane 7.2. Działanie tranzystora bipolarnego 7.2.1. Wewnętrzne zjawiska fizyczne 7.2.2. Symbole tranzystora w schematach i zmienne końcówkowe 7.2.3. Tranzystor jako zawór sterowany 7.3. Układy zastępcze dla wolnozmiennych sygnałów przy pracy w obszarze aktywnym 7.3.1. Prądy końcówkowe w obszarze aktywnym 7.3.2. Generatory sterowane i układy zastępcze 7.3.3. Układy zastępcze zawierające prąd nasycenia złącza kolektorowego 7.3.4. Granice obszaru aktywnego 7.3.5. Układy zastępcze dla tranzystorów n-p-n . 7.4. Przykłady analizy układu tranzystorowego 7.4.1. Wzmacniacz ze wspólnym emiterem 7.4.2. Zrównoważony wzmacniacz prądu stałego 7.4.3. Stabilizator napięcia 7.5. Działanie tranzystora przy granicznych napięciach kolektorowych 7.5.1. Zmiany szerokości nietylkodlamoli bazy 7.5.2. Powielanie lawinowe w kolektorze Zadania 8. Dynamiczne układy zastępcze tranzystorów bipolarnych 8.1. Praca w warunkach dynamicznych i obszary magazynowania ładunku 8.1.1. Magazynowanie ładunku w obszarach neutralnych 8.1.2. Magazynowanie ładunku w warstwach ładunku przestrzennego 8.1.3. Porównanie ładunków zmagazynowanych w obszarze neutralnym i w warstwie ładunku przestrzennego 8.2. Zastosowania ładunkowego układu zastępczego tranzystora 8.2.1. Wzmacniacz prądowy w konfiguracji wspólnego emitera 8.2.2. Wzmacniacz sterowany napięciowo , 8.2.3. Wzmacniacz z obciążeniem rezystywnym Zadania 9. Tranzystor unipolarny z izolowaną bramką 9.1. Wprowadzenie 9,2.- Elektryczne właściwości powierzchni półprzewodnika 9.2.1. Powierzchniowe* koncentracje nośników 9.2.2. Warstwy: zubożona, inWersyjna i akumulacyjna 9.3. Prądowo-napięciowe charakterystyki statyczne tranzystora MOS 9.3.1. Charakteryst
|
randki |
CyberCiekawostki |
darmowe aliasy |
darmowe forum |
promocje |
opinie, testy, oceny
darmowa toplsta | reklama internetowa
darmowa toplsta | reklama internetowa